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1N5553C.TR
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1N5553C.TR 技術仕様
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Semtech |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Supplier Device Package | Axial |
Reverse Recovery Time (trr) | 2µs |
Package / Case | Axial |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Detailed Description | Diode Standard 800V 5A Through Hole Axial |
Current - Average Rectified (Io) | 5A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | - |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
Diode Type | Standard |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 1µA @ 800V |
Capacitance @ Vr, F | 92pF @ 5V, 1MHz |
1N5553C.TR 書類
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データシート
1N5553C.TR.pdf
その他には以下が含まれます: "1N555" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
1N5550 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2776 |
1N5550 | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N5550C.TR | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
1N5550US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2633 |
1N5551 | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2628 |
1N5551 | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 751 |
1N5551 | Microsemi Corporation | 単相ダイオード整流器 | |
1N5551C.TR | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 2619 |
1N5551US | Semtech | ダイオード - 整流器 - シングル | 2668 |
1N5551US | Microsemi | ダイオード - 整流器 - シングル | 2533 |
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1N5553C.TR ブランドメーカー: Semtech, Bonchip ストック, 1N5553C.TR 参考価格. 1N5553C.TR パラメーター, 1N5553C.TR データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 1N5553C.TR プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 1N5553C.TR ピン図と回路図と機能の使用方法、 1N5553C.TR エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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