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GBU1006HD2G
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GBU1006HD2G 技術仕様
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A GBU
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Technology | Standard |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Package / Case | 4-SIP, GBU |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 12 Weeks |
Diode Type | Single Phase |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 800V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 10A |
Supplier Device Package | GBU |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Bridge Rectifier Single Phase Standard 800V Through Hole GBU |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
GBU1006HD2G 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください GBU1006HD2G
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データシート
GBU1006HD2G.pdf
その他には以下が含まれます: "GBU10" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'GBU10'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GBU10005 | Diodes Incorporated | ダイオード - ブリッジ整流器 | 510 |
GBU10005-G | Comchip Technology | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2766 |
GBU10005TB | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2700 |
GBU10005TB | SMC Diode Solutions | ブリッジ整流器 | |
GBU1001 | Diodes Incorporated | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2685 |
GBU1001 D2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2596 |
GBU1001 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
GBU1001HD2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2574 |
GBU1001HD2G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
GBU1001TB | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2528 |
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