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MBR30100CTHC0G
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MBR30100CTHC0G 技術仕様
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - アレイ |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940mV @ 30A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 11 Weeks |
Diode Type | Schottky |
Detailed Description | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 30A Through Hole TO-220-3 |
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 30A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 200µA @ 100V |
MBR30100CTHC0G 書類
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データシート
MBR30100CTHC0G.pdf
その他には以下が含まれます: "MBR30" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'MBR30'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
MBR300/100CT | IGBT Module | IGBTモジュール | 2853 |
MBR300100 | IGBT Module | IGBTモジュール | 2990 |
MBR300100CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2792 |
MBR300100CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2715 |
MBR300150CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2645 |
MBR300150CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2523 |
MBR30020 | MOTOROLA | IGBTモジュール | 2890 |
MBR300200CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2508 |
MBR300200CTR | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2609 |
MBR30020CT | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - 整流器 - アレイ | 2775 |
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輸送方法 | ||
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