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TSM80N1R2CL C0G
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TSM80N1R2CL C0G 技術仕様
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO262S
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 1.8A, 10V |
Packaging | Tube |
Other Names | TSM80N1R2CL C0G-ND TSM80N1R2CLC0G |
Mounting Type | Through Hole |
Manufacturer Standard Lead Time | 14 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 800V 5.5A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-262S (I2PAK) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-262S (I2PAK) |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Short Leads, I²Pak |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.5A (Tc) |
TSM80N1R2CL C0G 書類
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データシート
TSM80N1R2CL C0G.pdf
その他には以下が含まれます: "TSM80" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'TSM80'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
TSM802CQ | TSC | 特殊なホットIC | 2948 |
TSM802CQ RVG | T | 特殊なホットIC | 10477 |
TSM802CQ RVG MOS | VBSEMI | 特殊なホットIC | 1426 |
TSM80N08CZ | TSC | 特殊なホットIC | 12215 |
TSM80N08CZ C0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2707 |
TSM80N1R2CH | TSC | 特殊なホットIC | 1282 |
TSM80N1R2CH C5G | TSC (Taiwan Semiconductor) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2787 |
TSM80N1R2CI C0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2623 |
TSM80N1R2CP ROG | TSC (Taiwan Semiconductor) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2565 |
TSM80N400CF C0G | TSC (Taiwan Semiconductor) | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2698 |
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