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TH58NYG2S3HBAI4 技術仕様
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 集積回路 (IC) / メモリー |
Manufacturer | Toshiba Memory America, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
Technology | FLASH - NAND (SLC) |
Package / Case | 63-VFBGA |
Mounting Type | Surface Mount |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Format | FLASH |
Detailed Description | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Supplier Device Package | 63-TFBGA (9x11) |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Interface | - |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
TH58NYG2S3HBAI4 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください TH58NYG2S3HBAI4
-
データシート
その他には以下が含まれます: "TH58N" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'TH58N'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
TH58NVG1S3AFT05 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 2510 |
TH58NVG2S3BTG00 | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 49 |
TH58NVG2S3BTG00-DAH | TOS | 特殊なホットIC | 313 |
TH58NVG2S3ETA | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 371 |
TH58NVG2S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 901 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | メモリー | 24154 |
TH58NVG2S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 3267 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Semiconductor and Storage | メモリー | 1297 |
TH58NVG2S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 3030 |
TH58NVG3S0HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 2914 |
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TH58NYG2S3HBAI4 ブランドメーカー: Toshiba Memory America, Inc., Bonchip ストック, TH58NYG2S3HBAI4 参考価格. TH58NYG2S3HBAI4 パラメーター, TH58NYG2S3HBAI4 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TH58NYG2S3HBAI4 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TH58NYG2S3HBAI4 ピン図と回路図と機能の使用方法、 TH58NYG2S3HBAI4 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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