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MT3S113P(TE12L,F) 技術仕様

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5.3V
Supplier Device Package PW-MINI
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names MT3S113P(TE12LF) MT3S113P(TE12LF)TR
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.45dB @ 1GHz
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 7.7GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1.6W
Package / Case TO-243AA
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Gain 10.5dB
Detailed Description RF Transistor NPN 5.3V 100mA 7.7GHz 1.6W Surface Mount PW-MINI
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
MT3S105FS Toshiba 特殊なホットIC 20207
MT3S106 TOSHIBA 特殊なホットIC 43400
MT3S106FS Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 2000379
MT3S106FS IC Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 30476
MT3S106T TOSHIBA 特殊なホットIC 3400
MT3S111 TOSHIBA 特殊なホットIC 2884
MT3S111(TE85L TOSHIBA 特殊なホットIC 2900
MT3S111(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 1946
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - RF 2598
MT3S111(TE85L,F) TOSHIBA 特殊なホットIC 2735

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MT3S113P(TE12L,F) ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, MT3S113P(TE12L,F) 参考価格. MT3S113P(TE12L,F) パラメーター, MT3S113P(TE12L,F) データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 MT3S113P(TE12L,F) プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 MT3S113P(TE12L,F) ピン図と回路図と機能の使用方法、 MT3S113P(TE12L,F) エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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