RN1107MFV,L3F(CT 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
RN1101 TOSHI 特殊なホットIC 3078
RN1101 TE85L TOSHIBA 特殊なホットIC 146201
RN1101(TE85L) TOSHIBA 特殊なホットIC 3116
RN1101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2747
RN1101ACT TOSHIBA 特殊なホットIC 20449
RN1101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2783
RN1101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 60000
RN1101F TOSHIBA 特殊なホットIC 30242
RN1101FS TOSHIBA 特殊なホットIC 2266
RN1101FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 2000

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RN1107MFV,L3F(CT ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1107MFV,L3F(CT 参考価格. RN1107MFV,L3F(CT パラメーター, RN1107MFV,L3F(CT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1107MFV,L3F(CT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1107MFV,L3F(CT ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1107MFV,L3F(CT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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