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RN1107MFV,L3F(CT
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RN1107MFV,L3F(CT 技術仕様
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Package / Case | SOT-723 |
Part Status | Active |
Power - Max | 150mW |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 5mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 k Ω |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 k Ω |
RN1107MFV,L3F(CT 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN1107MFV,L3F(CT
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データシート
その他には以下が含まれます: "RN110" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN110'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN1101 | TOSHI | 特殊なホットIC | 3078 |
RN1101 TE85L | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 146201 |
RN1101(TE85L) | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3116 |
RN1101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2747 |
RN1101ACT | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 20449 |
RN1101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 2783 |
RN1101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス | 60000 |
RN1101F | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 30242 |
RN1101FS | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 2266 |
RN1101FS(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 2000 |
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RN1107MFV,L3F(CT ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1107MFV,L3F(CT 参考価格. RN1107MFV,L3F(CT パラメーター, RN1107MFV,L3F(CT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1107MFV,L3F(CT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1107MFV,L3F(CT ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1107MFV,L3F(CT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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