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RN1110,LF(CT 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 100mW
Package / Case SC-75, SOT-416
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SSM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN1110 TOSHIBA 特殊なホットIC 4003
RN1110(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2537
RN1110(T5LFT) TOSHIBA 特殊なホットIC 4100
RN1110ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2553
RN1110CT TOSHIBA 特殊なホットIC 70500
RN1110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2622
RN1110F TOSHIBA 特殊なホットIC 11826
RN1110FS TOSHIBA 特殊なホットIC 10360
RN1110MFV TOSHIBA 特殊なホットIC 136202
RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2609

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RN1110,LF(CT ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1110,LF(CT 参考価格. RN1110,LF(CT パラメーター, RN1110,LF(CT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1110,LF(CT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1110,LF(CT ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1110,LF(CT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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