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RN1131MFV(TL3,T) 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case SOT-723
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Supplier Device Package VESM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100k
Packaging Cut Tape (CT)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN1130F TOSHIBA 特殊なホットIC 37000
RN1130MFV TOSHIBA 特殊なホットIC 26050
RN1130MFV ,L3LCFF Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 11223
RN1130MFV tpl3 TOSHIBA 特殊なホットIC 8437
RN1130MFV(TPL3) TOSHIBA 特殊なホットIC 80000
RN1130MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2555
RN1131MFV TOSHIBA 特殊なホットIC 13987
RN1131MFV(TPL3) TOSHIBA 特殊なホットIC 48000
RN1131MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 事前バイアスBJTトランジスタ
RN1132FV TOSHIBA 特殊なホットIC 16338

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RN1131MFV(TL3,T) ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1131MFV(TL3,T) 参考価格. RN1131MFV(TL3,T) パラメーター, RN1131MFV(TL3,T) データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1131MFV(TL3,T) プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1131MFV(TL3,T) ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1131MFV(TL3,T) エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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