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RN1312(TE85L,F) 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case SC-70, SOT-323
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package USM
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN1310 TOSHIBA 特殊なホットIC 269285
RN1310(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 3299
RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 3000
RN1310,LF Toshiba Semiconductor and Storage 事前バイアスBJTトランジスタ
RN1311 TOSHIBA 特殊なホットIC 40944
RN1311(TE85L.F) Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 7300
RN1311,LF Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 0
RN1311LF TOS 特殊なホットIC 39444
RN1312 TOSHIBA 特殊なホットIC 42000
RN1313 TOSHIBA 特殊なホットIC 33000

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RN1312(TE85L,F) ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1312(TE85L,F) 参考価格. RN1312(TE85L,F) パラメーター, RN1312(TE85L,F) データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1312(TE85L,F) プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1312(TE85L,F) ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1312(TE85L,F) エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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