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RN1422TE85LF 技術仕様

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMINI

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA
Supplier Device Package S-Mini
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN142-0.5-02 Schaffner EMC, Inc. コモンモードチョーク 2641
RN142-0.5-02 Schaffner EMC Inc. コモンモードチョーク
RN142-0.5-02-82M Schaffner EMC, Inc. コモンモードチョーク 2686
RN142-0.5-02-82M Schaffner EMC Inc. コモンモードチョーク
RN142-1-02 Schaffner EMC, Inc. コモンモードチョーク 2640
RN142-1-02 Schaffner EMC Inc. コモンモードチョーク
RN142-1-02-33M Schaffner EMC, Inc. コモンモードチョーク 2523
RN142-1-02-33M Schaffner EMC Inc. コモンモードチョーク
RN142-1.4-02 Schaffner EMC, Inc. コモンモードチョーク 2755
RN142-1.4-02 Schaffner EMC Inc. コモンモードチョーク

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RN1422TE85LF ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1422TE85LF 参考価格. RN1422TE85LF パラメーター, RN1422TE85LF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1422TE85LF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1422TE85LF ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1422TE85LF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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