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RN1911FE,LF(CT 技術仕様

NPN X 2 BRT, Q1BSR=10K?, Q1BER=I

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Part Status Active
Power - Max 100mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 250MHz
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN1910 TOSHI 特殊なホットIC 2462070
RN1910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2537
RN1910AFS TOSHIBA 特殊なホットIC 9152
RN1910AFS IC Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 9138
RN1910AFS(TL3EKA Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 10332
RN1910AFS(TL3EKA,E TOSHIBA 特殊なホットIC 10000
RN1910AFS(TPL3) TOS 特殊なホットIC 30000
RN1910FE TOSHIBA 特殊なホットIC 87206
RN1910FE(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2639
RN1910FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2595

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RN1911FE,LF(CT ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN1911FE,LF(CT 参考価格. RN1911FE,LF(CT パラメーター, RN1911FE,LF(CT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN1911FE,LF(CT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN1911FE,LF(CT ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN1911FE,LF(CT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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