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RN1962FE(TE85L,F)
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RN1962FE(TE85L,F) 技術仕様
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10k |
Power - Max | 100mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | ES6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN1962FE(TE85L,F) 書類
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データシート
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その他には以下が含まれます: "RN196" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN196'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN1961(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 2656 |
RN1961FE | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 15495 |
RN1961FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス | 52000 |
RN1962 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3189 |
RN1962(TE85L | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 3208 |
RN1962(TE85L ,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 3000 |
RN1962(TE85L,F) | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3000 |
RN1962FE | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 6394 |
RN1962FE(TE85L.F) | Original | 特殊なホットIC | 0 |
RN1962FS | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8500 |
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