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RN2107,LF(CT 技術仕様

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / 事前バイアスBJTトランジスタ
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case SC-75, SOT-416
Part Status Discontinued
Max Power Dissipation 100mW
Transistor Type PNP - Pre-Biased
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Emitter Base Voltage (VEBO) -6V
Resistor - Base (R1) 10 k Ω
Resistor - Emitter Base (R2) 47 k Ω
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) -50V
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 80
Continuous Collector Current -100mA
RoHS Status RoHS Compliant
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RN2107,LF(CT 書類

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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN2101 TOSHIBA 特殊なホットIC 54000
RN2101 TE85L TOSHIBA 特殊なホットIC 9000
RN2101(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2738
RN2101(T5L,F,T) Toshiba 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2101,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2759
RN2101ACT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2729
RN2101CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2610
RN2101F TOSHIBA 特殊なホットIC 8286
RN2101F(TPL3,F) Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 6180
RN2101F(TPL3F) TOSHIBA 特殊なホットIC 4500

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RN2107,LF(CT ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2107,LF(CT 参考価格. RN2107,LF(CT パラメーター, RN2107,LF(CT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2107,LF(CT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2107,LF(CT ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2107,LF(CT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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