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RN2110ACT(TPL3) 技術仕様

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 100mW
Package / Case SC-101, SOT-883
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package CST3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN2110 TOSHIBA 特殊なホットIC 3320
RN2110,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2521
RN2110,LF(CB Toshiba 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2110,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage 事前バイアスBJTトランジスタ
RN2110ACT Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 10376
RN2110CT(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス 2709
RN2110F Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 3700
RN2110FT TOSHIBA 特殊なホットIC 8410
RN2110FV TOSHIBA 特殊なホットIC 8000
RN2110MFV TOS 特殊なホットIC 8472

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RN2110ACT(TPL3) ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2110ACT(TPL3) 参考価格. RN2110ACT(TPL3) パラメーター, RN2110ACT(TPL3) データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2110ACT(TPL3) プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2110ACT(TPL3) ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2110ACT(TPL3) エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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