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RN2130MFV,L3F
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RN2130MFV,L3F 技術仕様
X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - バイポーラ (BJT) - シングル、プリバイアス |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
Power - Max | 150mW |
Other Names | RN2130MFVL3F |
Manufacturer Standard Lead Time | 16 Weeks |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA |
Supplier Device Package | VESM |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Package / Case | SOT-723 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN2130MFV,L3F 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください RN2130MFV,L3F
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データシート
RN2130MFV,L3F.pdf
その他には以下が含まれます: "RN213" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'RN213'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
RN2130F TPL3 ,F | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 8328 |
RN2130F TPL3,F | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8000 |
RN2130F TPL3F | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8465 |
RN2130MFV | TOS | 特殊なホットIC | 56000 |
RN2130MFV(TPL3) | TOS | 特殊なホットIC | 24000 |
RN2131F | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 48000 |
RN2131F TPL3 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 176000 |
RN2131F(TPL3) | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 3787 |
RN2131FV | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 8200 |
RN2131MFV | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 56000 |
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RN2130MFV,L3F ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2130MFV,L3F 参考価格. RN2130MFV,L3F パラメーター, RN2130MFV,L3F データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2130MFV,L3F プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2130MFV,L3F ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2130MFV,L3F エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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