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RN2910FE,LF(CT 技術仕様

Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor

製品の属性 属性値
Category 離散半導体 / BJTトランジスタアレイ
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case SOT-563, SOT-666
Packaging Cut Tape (CT)
Part Status Discontinued
Max Power Dissipation 100mW
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Emitter Base Voltage (VEBO) -5V
Resistor - Base (R1) 4.7k Ω
RoHS Status RoHS Compliant
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Weight 3.005049mg
Published 2016
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Polarity PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) -50V
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz
hFE Min 120
Continuous Collector Current -100mA
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
RN2910 TOSHIBA 特殊なホットIC 6208
RN2910(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2667
RN2910,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJTトランジスタアレイ
RN2910FE TOSHIBA 特殊なホットIC 63102
RN2910FE,LF(CB Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2706
RN2910FE,LF(CB Toshiba BJTトランジスタアレイ
RN2911 TOSHIBA 特殊なホットIC 3254
RN2911(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2555
RN2911,LF Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - バイポーラ (BJT) - アレイ、プリバイアス 2518
RN2911FE TOSHIBA 特殊なホットIC 4447

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RN2910FE,LF(CT ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, RN2910FE,LF(CT 参考価格. RN2910FE,LF(CT パラメーター, RN2910FE,LF(CT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 RN2910FE,LF(CT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 RN2910FE,LF(CT ピン図と回路図と機能の使用方法、 RN2910FE,LF(CT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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