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TC58BYG0S3HBAI6 技術仕様
IC EEPROM 1GBIT 25NS 67VFBGA
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 集積回路 (IC) / メモリー |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Supply | 1.7 V ~ 1.95 V |
Speed | 25ns |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
Memory Size | 1Gb (128M x 8) |
Interface | Parallel |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 67-VFBGA (6.5x8) |
Series | Benand™ |
Package / Case | 67-VFBGA |
Memory Type | Non-Volatile |
Memory Format | EEPROM |
TC58BYG0S3HBAI6 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください TC58BYG0S3HBAI6
-
データシート
TC58BYG0S3HBAI6.pdf
その他には以下が含まれます: "TC58B" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'TC58B'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 407 |
TC58BVG0S3HBAI4 | Toshiba Semiconductor and Storage | メモリー | 6636 |
TC58BVG0S3HBAI4JDH | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 2576 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Semiconductor and Storage | メモリー | 1113 |
TC58BVG0S3HBAI6 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 10367 |
TC58BVG0S3HTA0 | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 619 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Semiconductor and Storage | メモリー | 91467 |
TC58BVG0S3HTA00 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 2991 |
TC58BVG0S3HTA00 IC | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 747 |
TC58BVG0S3HTAI0 | Toshiba Memory America, Inc. | メモリー | 3039 |
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TC58BYG0S3HBAI6 ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, TC58BYG0S3HBAI6 参考価格. TC58BYG0S3HBAI6 パラメーター, TC58BYG0S3HBAI6 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TC58BYG0S3HBAI6 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TC58BYG0S3HBAI6 ピン図と回路図と機能の使用方法、 TC58BYG0S3HBAI6 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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