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TK31J60W,S1VQ
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TK31J60W,S1VQ 技術仕様
MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.7V @ 1.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | DTMOSIV |
Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3P(N) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 15.4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3000pF @ 300V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.8A (Ta) |
TK31J60W,S1VQ 書類
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データシート
TK31J60W,S1VQ.pdf
その他には以下が含まれます: "TK31J" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'TK31J'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
TK31J60W | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 301 |
TK31J60W MOS | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 319 |
TK31J60W,S1VQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 90 |
TK31J60W5 | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 32656 |
TK31J60W5,S1VQ | Toshiba Semiconductor and Storage | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 2624 |
TK31J60W5,S1VQ(O) | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 225 |
TK31J60W5S1VQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 23 |
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TK31J60W,S1VQ ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, TK31J60W,S1VQ 参考価格. TK31J60W,S1VQ パラメーター, TK31J60W,S1VQ データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TK31J60W,S1VQ プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TK31J60W,S1VQ ピン図と回路図と機能の使用方法、 TK31J60W,S1VQ エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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