TK380A60Y,S4X 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 360µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSV
Power Dissipation (Max) 30W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature 150°C (TJ)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.7A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V
Packaging Tube
Other Names TK380A60Y,S4X(S TK380A60YS4X TK380A60YS4X(S
Mounting Type Through Hole
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 9.7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
TK380A65Y Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 120
TK380A65YS4XCS IC Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 335
TK380P60Y Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 1406
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TK380P65Y ,RQ Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 50461
TK380P65Y,RQ Toshiba Semiconductor and Storage トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2518
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