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TK65G10N1,RQ
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TK65G10N1,RQ 技術仕様
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVIII-H |
Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 32.5A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Ta) |
TK65G10N1,RQ 書類
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データシート
TK65G10N1,RQ.pdf
その他には以下が含まれます: "TK65G" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'TK65G'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
TK65G10N ,E ,RQ IC | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 641 |
TK65G10N1 | TOSHIBA | 特殊なホットIC | 1232 |
TK65G10N1.RQ(S) | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 60000 |
TK65G10NE | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 5268 |
TK65G10NE IC | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 11192 |
TK65G10NE.RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 特殊なホットIC | 538 |
TK65G10NERQ | 特殊なホットIC | 748 |
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TK65G10N1,RQ ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, TK65G10N1,RQ 参考価格. TK65G10N1,RQ パラメーター, TK65G10N1,RQ データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TK65G10N1,RQ プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TK65G10N1,RQ ピン図と回路図と機能の使用方法、 TK65G10N1,RQ エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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