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TPH1110ENH,L1Q 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 114 mOhm @ 3.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.2A (Ta)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
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TPH11006NL Toshiba Semiconductor and Storage 特殊なホットIC 9337
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TPH1110ENH,L1Q ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, TPH1110ENH,L1Q 参考価格. TPH1110ENH,L1Q パラメーター, TPH1110ENH,L1Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TPH1110ENH,L1Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TPH1110ENH,L1Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 TPH1110ENH,L1Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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