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TPH6400ENH,L1Q 技術仕様

MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 300µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 57W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 64 mOhm @ 6.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
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TPH6400ENH,L1Q ブランドメーカー: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip ストック, TPH6400ENH,L1Q 参考価格. TPH6400ENH,L1Q パラメーター, TPH6400ENH,L1Q データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 TPH6400ENH,L1Q プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 TPH6400ENH,L1Q ピン図と回路図と機能の使用方法、 TPH6400ENH,L1Q エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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