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3N257-E4/51
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3N257-E4/51 技術仕様
DIODE BRIDGE 2A 600V 4SIP
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Technology | Standard |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -55°C ~ 165°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 2A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3.14A |
Supplier Device Package | KBPM |
Package / Case | 4-SIP, KBPM |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 600V |
3N257-E4/51 書類
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その他には以下が含まれます: "3N257" 部品
次の部分には次のものが含まれます '3N257'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
3N257 | Fairchild/ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2728 |
3N257 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2658 |
3N257 | ON Semiconductor | ブリッジ整流器 | |
3N257-5410E4/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2502 |
3N257-5410E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
3N257-E4/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2588 |
3N257-E4/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2771 |
3N257-E4/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
3N257-E4/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 0 |
3N257-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 |
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3N257-E4/51 ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, 3N257-E4/51 参考価格. 3N257-E4/51 パラメーター, 3N257-E4/51 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 3N257-E4/51 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 3N257-E4/51 ピン図と回路図と機能の使用方法、 3N257-E4/51 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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