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G3SBA80-M3/45
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G3SBA80-M3/45 技術仕様
DIODE 1PH 4A 800V
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Technology | Standard |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 2.3A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 2A |
Supplier Device Package | GBU |
Package / Case | 4-SIP, GBU |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 800V |
G3SBA80-M3/45 書類
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その他には以下が含まれます: "G3SBA" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
G3SBA20-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2735 |
G3SBA20-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 0 |
G3SBA20-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
G3SBA20-E3/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2599 |
G3SBA20-E3/51 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2563 |
G3SBA20-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
G3SBA20-M3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2521 |
G3SBA20-M3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2628 |
G3SBA20-M3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
G3SBA20-M3/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2539 |
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G3SBA80-M3/45 ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, G3SBA80-M3/45 参考価格. G3SBA80-M3/45 パラメーター, G3SBA80-M3/45 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 G3SBA80-M3/45 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 G3SBA80-M3/45 ピン図と回路図と機能の使用方法、 G3SBA80-M3/45 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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