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GBL02-E3/51
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GBL02-E3/51 技術仕様
DIODE GPP 1PH 4A 200V GBL
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 3A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Supplier Device Package | GBL |
Package / Case | 4-SIP, GBL |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 200V |
GBL02-E3/51 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください GBL02-E3/51
その他には以下が含まれます: "GBL02" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'GBL02'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
GBL02 | GeneSiC Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2638 |
GBL02 D2G | TSC (Taiwan Semiconductor) | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2684 |
GBL02 D2G | Taiwan Semiconductor Corporation | ブリッジ整流器 | |
GBL02-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2788 |
GBL02-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2509 |
GBL02-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBL02-E3/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 1076 |
GBL02-E3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
GBL02-M3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2572 |
GBL02-M3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 0 |
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GBL02-E3/51 ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, GBL02-E3/51 参考価格. GBL02-E3/51 パラメーター, GBL02-E3/51 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 GBL02-E3/51 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 GBL02-E3/51 ピン図と回路図と機能の使用方法、 GBL02-E3/51 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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