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KBL10-E4/51
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KBL10-E4/51 技術仕様
RECTIFIER BRIDGE 4A 1000V KBL
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1000V |
Technology | Standard |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 4A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 4A |
Supplier Device Package | KBL |
Package / Case | 4-SIP, KBL |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 1000V |
KBL10-E4/51 書類
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その他には以下が含まれます: "KBL10" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
KBL10 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 3140 |
KBL10 | Fairchild/ON Semiconductor | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2418 |
KBL10 | ON Semiconductor | ブリッジ整流器 | |
KBL10 | Rochester Electronics, LLC | ブリッジ整流器 | |
KBL10-E4/51 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2980 |
KBL10-E4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 | |
KBL10/1 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2566 |
KBL10/1 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - ブリッジ整流器 | 2592 |
KBL10/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ブリッジ整流器 |
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