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NSB8ATHE3_A/P 技術仕様

DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A
Supplier Device Package TO-263AB
Series Automotive, AEC-Q101
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 50V
Capacitance @ Vr, F 55pF @ 4V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50V
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 8A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
NSB8AT VIHSAY 特殊なホットIC 1274
NSB8AT-E3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2554
NSB8AT-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2787
NSB8AT-E3/81 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2643
NSB8AT-E3/81 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 0
NSB8AT-E3/81 Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
NSB8ATHE3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2768
NSB8ATHE3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2762
NSB8ATHE3/81 Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2629
NSB8ATHE3/81 Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2711

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NSB8ATHE3_A/P ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, NSB8ATHE3_A/P 参考価格. NSB8ATHE3_A/P パラメーター, NSB8ATHE3_A/P データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 NSB8ATHE3_A/P プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 NSB8ATHE3_A/P ピン図と回路図と機能の使用方法、 NSB8ATHE3_A/P エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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