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NSB8JTHE3/81
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NSB8JTHE3/81 技術仕様
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | 55pF @ 4V, 1MHz |
NSB8JTHE3/81 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください NSB8JTHE3/81
その他には以下が含まれます: "NSB8J" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'NSB8J'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
NSB8JT | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 12 |
NSB8JT-E3/31 | VISHAY | 特殊なホットIC | 5498 |
NSB8JT-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2506 |
NSB8JT-E3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2663 |
NSB8JT-E3/45 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 単相ダイオード整流器 | |
NSB8JT-E3/81 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2542 |
NSB8JT-E3/81 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2595 |
NSB8JT-E3/81 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 単相ダイオード整流器 | |
NSB8JTHE3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2553 |
NSB8JTHE3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2531 |
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