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UGB5JT-E3/45
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UGB5JT-E3/45 技術仕様
DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 5A |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Reverse Recovery Time (trr) | 50ns |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacitance @ Vr, F | - |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Speed | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 5A |
UGB5JT-E3/45 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください UGB5JT-E3/45
-
データシート
UGB5JT-E3/45.pdf
その他には以下が含まれます: "UGB5J" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'UGB5J'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
UGB5JT | N/A | 特殊なホットIC | 831 |
UGB5JT-E3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2718 |
UGB5JT-E3/81 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 448 |
UGB5JT-E3/81 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2875 |
UGB5JTHE3/45 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2545 |
UGB5JTHE3/45 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
UGB5JTHE3/81 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2682 |
UGB5JTHE3/81 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
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UGB5JT-E3/45 ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, UGB5JT-E3/45 参考価格. UGB5JT-E3/45 パラメーター, UGB5JT-E3/45 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 UGB5JT-E3/45 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 UGB5JT-E3/45 ピン図と回路図と機能の使用方法、 UGB5JT-E3/45 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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