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US1BHE3/5AT 技術仕様

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
US1BHE3/5AT Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 99000
US1BHE3/61T Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 130000
US1BHE3/61T Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 130000
US1BHE3_A/H Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2675
US1BHE3_A/H Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2501
US1BHE3_A/I Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 2517
US1BHE3_A/I Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 2712
US1BHM2G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - 整流器 - シングル 0
US1BHR3G TSC (Taiwan Semiconductor) ダイオード - 整流器 - シングル 2607

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US1BHE3/5AT ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, US1BHE3/5AT 参考価格. US1BHE3/5AT パラメーター, US1BHE3/5AT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 US1BHE3/5AT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 US1BHE3/5AT ピン図と回路図と機能の使用方法、 US1BHE3/5AT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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