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US1G-E3/5AT 技術仕様

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
US1G-13 Diodes Incorporated ダイオード - 整流器 - シングル 15000
US1G-13-F Diodes Incorporated ダイオード - 整流器 - シングル 1481
US1G-13-F IC Diodes Incorporated 特殊なホットIC 3449
US1G-7 LITEON 特殊なホットIC 4500
US1G-E3 VISHAYMAS 特殊なホットIC 36304
US1G-E3/5AT Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 3016
US1G-E3/5AT Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器
US1G-E3/61T Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 227220
US1G-E3/61T Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 130204
US1G-E3/61T Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器

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US1G-E3/5AT ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, US1G-E3/5AT 参考価格. US1G-E3/5AT パラメーター, US1G-E3/5AT データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 US1G-E3/5AT プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 US1G-E3/5AT ピン図と回路図と機能の使用方法、 US1G-E3/5AT エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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