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US1GHE3_A/I 技術仕様

DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Series Automotive, AEC-Q101
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 1A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Package / Case DO-214AC, SMA
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
US1GHE3 VISHAY 特殊なホットIC 11586
US1GHE3-A/H VIHSAY 特殊なホットIC 9284
US1GHE3/5AT Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 11715
US1GHE3/5AT Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 99361
US1GHE3/61 VISHAY 特殊なホットIC 12396
US1GHE3/61T Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 130000
US1GHE3/61T Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 130000
US1GHE3_A/H Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - シングル 4310
US1GHE3_A/H Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - シングル 599
US1GHE3_A/H Vishay Semiconductor Diodes Division 単相ダイオード整流器

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US1GHE3_A/I ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, US1GHE3_A/I 参考価格. US1GHE3_A/I パラメーター, US1GHE3_A/I データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 US1GHE3_A/I プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 US1GHE3_A/I ピン図と回路図と機能の使用方法、 US1GHE3_A/I エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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