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VBT1080S-M3/4W 技術仕様

DIODE SCHOTTKY 10A 80V TO-263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 810mV @ 10A
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Average Rectified (Io) 10A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 600µA @ 80V
Capacitance @ Vr, F -
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データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください VBT1080S-M3/4W

その他には以下が含まれます：   "VBT10"   部品

次の部分には次のものが含まれます  'VBT10' 

部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VBT10-2031 Bel 同軸コネクタ (RF) 2713
VBT10-2071 Bel 同軸コネクタ (RF) 2642
VBT10200C-E3/4W Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - アレイ 0
VBT10200C-E3/4W Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - アレイ 2600
VBT10200C-E3/4W Vishay Semiconductor Diodes Division 整流ダイオードアレイ
VBT10200C-E3/8W Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - アレイ 2598
VBT10200C-E3/8W Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - アレイ 2741
VBT10200C-E3/8W Vishay Semiconductor Diodes Division 整流ダイオードアレイ
VBT10202C-M3/4W Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - アレイ 2681
VBT10202C-M3/4W Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - アレイ 2637

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VBT1080S-M3/4W ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, VBT1080S-M3/4W 参考価格. VBT1080S-M3/4W パラメーター, VBT1080S-M3/4W データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VBT1080S-M3/4W プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VBT1080S-M3/4W ピン図と回路図と機能の使用方法、 VBT1080S-M3/4W エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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