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VS-20ETF12S-M3 技術仕様

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.31V @ 20A
Supplier Device Package D2PAK
Reverse Recovery Time (trr) 400ns
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F -
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -40°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 20A
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
VS-200CNQ045PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - アレイ 2665
VS-200CNQ045PBF Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - アレイ 2682
VS-200CNQ045PBF Vishay Semiconductor Diodes Division 整流ダイオードアレイ
VS-200MT40KPBF Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - ブリッジ整流器 2787
VS-200MT40KPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - ブリッジ整流器 2787
VS-200MT40KPBF Vishay Semiconductor Diodes Division ブリッジ整流器
VS-201CNQ045PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - アレイ 2558
VS-201CNQ045PBF Electro-Films (EFI) / Vishay ダイオード - 整流器 - アレイ 2563
VS-201CNQ045PBF Vishay Semiconductor Diodes Division 整流ダイオードアレイ
VS-201CNQ050PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division ダイオード - 整流器 - アレイ 2615

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VS-20ETF12S-M3 ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, VS-20ETF12S-M3 参考価格. VS-20ETF12S-M3 パラメーター, VS-20ETF12S-M3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-20ETF12S-M3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-20ETF12S-M3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-20ETF12S-M3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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