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VS-8EWS10STRPBF
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VS-8EWS10STRPBF 技術仕様
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - 整流器 - シングル |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 8A |
Supplier Device Package | TO-252 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 8A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 1000V |
Capacitance @ Vr, F | - |
VS-8EWS10STRPBF 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください VS-8EWS10STRPBF
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データシート
VS-8EWS10STRPBF.pdf
その他には以下が含まれます: "VS-8E" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'VS-8E'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
VS-8E2TH06 IC | Vishay Precision Group | 特殊なホットIC | 20254 |
VS-8E2TX06-M | VISHAY | 特殊なホットIC | 891 |
VS-8ETH03-1-M3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2642 |
VS-8ETH03-1PBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2703 |
VS-8ETH03-M3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2695 |
VS-8ETH03-N3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 2562 |
VS-8ETH03-N3 | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2617 |
VS-8ETH03-N3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | 単相ダイオード整流器 | |
VS-8ETH03PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | ダイオード - 整流器 - シングル | 0 |
VS-8ETH03PBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | ダイオード - 整流器 - シングル | 2740 |
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VS-8EWS10STRPBF ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, VS-8EWS10STRPBF 参考価格. VS-8EWS10STRPBF パラメーター, VS-8EWS10STRPBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-8EWS10STRPBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-8EWS10STRPBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-8EWS10STRPBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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輸送方法 | ||
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