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VS-GB200TH120N 技術仕様

IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Double INT-A-PAK
Package / Case Double INT-A-PAK (3 + 4)
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14.9nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 360A
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 200A
Power - Max 1136W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
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VS-GB200TH120N ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, VS-GB200TH120N 参考価格. VS-GB200TH120N パラメーター, VS-GB200TH120N データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-GB200TH120N プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-GB200TH120N ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-GB200TH120N エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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