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VS-GB200TH120U
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VS-GB200TH120U 技術仕様
IGBT 1200V 330A 1316W INT-A-PAK
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - IGBT - モジュール |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
Package / Case | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 16.9nF @ 30V |
IGBT Type | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | 330A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 200A |
Power - Max | 1316W |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
Configuration | Half Bridge |
VS-GB200TH120U 書類
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データシート
VS-GB200TH120U.pdf
その他には以下が含まれます: "VS-GB" 部品
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部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2534 |
VS-GB05XP120KTPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2677 |
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBTモジュール | |
VS-GB100DA60UP | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 0 |
VS-GB100DA60UP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2778 |
VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBTモジュール | |
VS-GB100LH120N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2689 |
VS-GB100LH120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2631 |
VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBTモジュール | |
VS-GB100LP120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2567 |
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VS-GB200TH120U ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, VS-GB200TH120U 参考価格. VS-GB200TH120U パラメーター, VS-GB200TH120U データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-GB200TH120U プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-GB200TH120U ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-GB200TH120U エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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