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VS-GBPC3508W
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VS-GBPC3508W 技術仕様
RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPCW
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / ダイオード - ブリッジ整流器 |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Technology | Standard |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Supplier Device Package | GBPC-W |
Package / Case | 4-Square, GBPC-W |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2mA @ 800V |
VS-GBPC3508W 書類
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データシート
VS-GBPC3508W.pdf
その他には以下が含まれます: "VS-GB" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'VS-GB'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2534 |
VS-GB05XP120KTPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2677 |
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBTモジュール | |
VS-GB100DA60UP | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 0 |
VS-GB100DA60UP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2778 |
VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBTモジュール | |
VS-GB100LH120N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2689 |
VS-GB100LH120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2631 |
VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBTモジュール | |
VS-GB100LP120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - IGBT - モジュール | 2567 |
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VS-GBPC3508W ブランドメーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip ストック, VS-GBPC3508W 参考価格. VS-GBPC3508W パラメーター, VS-GBPC3508W データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 VS-GBPC3508W プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 VS-GBPC3508W ピン図と回路図と機能の使用方法、 VS-GBPC3508W エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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