IRF634NLPBF 技術仕様

MOSFET N-CH 250V 8A TO-262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 88W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 435 mOhm @ 4.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IRF630 STMicroelectronics トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1376
IRF630 MOS ST 特殊なホットIC 533
IRF630. IR 特殊なホットIC 749
IRF630/FP ST 特殊なホットIC 838
IRF6305TRL IR 特殊なホットIC 1480
IRF630A FAIRCHI 特殊なホットIC 645
IRF630A MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 563
IRF630APBF VB 特殊なホットIC 10437
IRF630B FSC 特殊なホットIC 21760
IRF630B MOS Fairchild/ON Semiconductor 特殊なホットIC 336

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