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IRFB18N50K
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IRFB18N50K 技術仕様
MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 220W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2830pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
IRFB18N50K 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFB18N50K
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データシート
1.IRFB18N50K.pdf 2.IRFB18N50K.pdf
その他には以下が含まれます: "IRFB1" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'IRFB1'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
IRFB1104 | IR | 特殊なホットIC | 13519 |
IRFB11N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 38323 |
IRFB11N50A | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 712 |
IRFB11N50APBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 29172 |
IRFB11N50APBF | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 1473 |
IRFB11N50APBF | Vishay Siliconix | 単一MOSFETトランジスタ | |
IRFB11N50L | IR | 特殊なホットIC | 71 |
IRFB11N60A | IR | 特殊なホットIC | 2522 |
IRFB13N50A | Electro-Films (EFI) / Vishay | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 36761 |
IRFB13N50A | Vishay / Siliconix | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル | 32836 |
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