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IRFBC20S 技術仕様

MOSFET N-CH 600V 2.2A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.2A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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IRFBC20S 書類

データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください IRFBC20S

その他には以下が含まれます：   "IRFBC"   部品

次の部分には次のものが含まれます  'IRFBC' 

部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFBC20 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1336
IRFBC20 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 23413
IRFBC20 MOS IR 特殊なホットIC 565
IRFBC20-030 IR 特殊なホットIC 2632
IRFBC20F /IR 特殊なホットIC 2774
IRFBC20L Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2787
IRFBC20L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2786
IRFBC20LPBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2799
IRFBC20LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2684
IRFBC20PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5304

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IRFBC20S ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFBC20S 参考価格. IRFBC20S パラメーター, IRFBC20S データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBC20S プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBC20S ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBC20S エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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