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IRFBE20S 技術仕様

MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFBE20 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 13093
IRFBE20 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1193
IRFBE20L Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2652
IRFBE20L Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 0
IRFBE20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 8140
IRFBE20PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1147
IRFBE20PBF MOS IR 特殊なホットIC 383
IRFBE20S Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2761
IRFBE20SPBF VISHAY 特殊なホットIC 9000
IRFBE20STRL Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2521

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IRFBE20S ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFBE20S 参考価格. IRFBE20S パラメーター, IRFBE20S データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFBE20S プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFBE20S ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFBE20S エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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