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IRFIBF30G 技術仕様

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 Ohm @ 1.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
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IRFIBF30G 書類

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その他には以下が含まれます：   "IRFIB"   部品

次の部分には次のものが含まれます  'IRFIB' 

部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFIB11N50APBF VISHAY 特殊なホットIC 5800
IRFIB22N60C3 IR 特殊なホットIC 25
IRFIB41N15D IR 特殊なホットIC 2528
IRFIB41N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5318
IRFIB41N15DPBF Infineon Technologies 単一MOSFETトランジスタ
IRFIB41N15DPBF. IR 特殊なホットIC 40032
IRFIB5N50L IR 特殊なホットIC 2665
IRFIB5N50LPBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 553
IRFIB5N50LPBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5460
IRFIB5N65A Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 1738

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IRFIBF30G ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFIBF30G 参考価格. IRFIBF30G パラメーター, IRFIBF30G データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFIBF30G プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFIBF30G ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFIBF30G エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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