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IRFS11N50APBF 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 520 mOhm @ 6.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1423pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
IRFS11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 28238
IRFS11N50A Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 28238
IRFS11N50A MOS IR 特殊なホットIC 5778
IRFS11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37365
IRFS11N50APBF Vishay Siliconix 単一MOSFETトランジスタ
IRFS11N50ATR IR 特殊なホットIC 1063
IRFS11N50ATRL Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37363
IRFS11N50ATRL Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 37363
IRFS11N50ATRLP Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2768
IRFS11N50ATRLP Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 673

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IRFS11N50APBF ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFS11N50APBF 参考価格. IRFS11N50APBF パラメーター, IRFS11N50APBF データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFS11N50APBF プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFS11N50APBF ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFS11N50APBF エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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