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IRFSL11N50A 技術仕様

MOSFET N-CH 500V 11A TO-262

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262-3
Power Dissipation (Max) 190W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 6.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1426pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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IRFSL11N50A ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, IRFSL11N50A 参考価格. IRFSL11N50A パラメーター, IRFSL11N50A データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 IRFSL11N50A プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 IRFSL11N50A ピン図と回路図と機能の使用方法、 IRFSL11N50A エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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