IRLR120 技術仕様

MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.7A (Tc)
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 4.6A, 5V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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部 # メーカー カテゴリー 可用性
IRLR110 Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 2395
IRLR110 Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 62001
IRLR110A F 特殊なホットIC 2693
IRLR110ATF AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6710
IRLR110ATF Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 6710
IRLR110ATM Fairchild/ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
IRLR110ATM AMI Semiconductor / ON Semiconductor トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 5000
IRLR110ATRPBF F 特殊なホットIC 10000
IRLR110PBF Electro-Films (EFI) / Vishay トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 27894
IRLR110PBF Vishay / Siliconix トランジスタ - FET、MOSFET - シングル 22756

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