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SI1023X-T1-E3
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SI1023X-T1-E3 技術仕様
MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SOT563F
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Category | 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 250mW |
Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 370mA |
製品の属性 | 属性値 |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | SC-89-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
SI1023X-T1-E3 書類
データシートとメーカーのドキュメントをダウンロードしてください SI1023X-T1-E3
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データシート
SI1023X-T1-E3.pdf
その他には以下が含まれます: "SI102" 部品
次の部分には次のものが含まれます 'SI102'
部 # | メーカー | カテゴリー | 可用性 |
---|---|---|---|
SI1020 | Silicon Labs | マイクロプロセッサ | |
SI1020-915-A-DK | Energy Micro (Silicon Labs) | RF 評価および開発キット、ボード | 2726 |
SI1020-915-A-DK | Silicon Labs | RFボード | |
SI1020-915-A-SDK | Energy Micro (Silicon Labs) | RF 評価および開発キット、ボード | 2641 |
SI1020-915-A-SDK | Silicon Labs | RFボード | |
SI1020-A-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2718 |
SI1020-A-GM | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1020-A-GMR | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2655 |
SI1020-A-GMR | Silicon Labs | RFトランシーバーIC | |
SI1020-B-GM | Energy Micro (Silicon Labs) | RFトランシーバーIC | 2520 |
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SI1023X-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI1023X-T1-E3 参考価格. SI1023X-T1-E3 パラメーター, SI1023X-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1023X-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1023X-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1023X-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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