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SI1029X-T1-GE3 技術仕様

MOSFET N/P-CH 60V SC89-6

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 250mW
Package / Case SOT-563, SOT-666
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 305mA, 190mA
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SC-89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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SI1020 Silicon Labs マイクロプロセッサ
SI1020-915-A-DK Energy Micro (Silicon Labs) RF 評価および開発キット、ボード 2726
SI1020-915-A-DK Silicon Labs RFボード
SI1020-915-A-SDK Energy Micro (Silicon Labs) RF 評価および開発キット、ボード 2641
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SI1020-A-GM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1020-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2655
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SI1029X-T1-GE3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI1029X-T1-GE3 参考価格. SI1029X-T1-GE3 パラメーター, SI1029X-T1-GE3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1029X-T1-GE3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1029X-T1-GE3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1029X-T1-GE3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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