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SI1032X-T1-E3 技術仕様

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

製品の属性 属性値
Category 離散半導体製品 / トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package SC-89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
製品の属性 属性値
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 300mW (Ta)
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
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部 ＃ メーカー カテゴリー 可用性
SI1030 Silicon Labs マイクロプロセッサ
SI1030-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2598
SI1030-A-GM Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1030-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2576
SI1030-A-GMR Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1030-B-GM3 Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2511
SI1030-B-GM3 Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1030-B-GM3R Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2544
SI1030-B-GM3R Silicon Labs RFトランシーバーIC
SI1031-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RFトランシーバーIC 2665

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SI1032X-T1-E3 ブランドメーカー: Vishay / Siliconix, Bonchip ストック, SI1032X-T1-E3 参考価格. SI1032X-T1-E3 パラメーター, SI1032X-T1-E3 データシート PDF とピン ダイアグラムの説明のダウンロード。 SI1032X-T1-E3 プラガブル コネクタ、DSP デートシート PDF、検索 SI1032X-T1-E3 ピン図と回路図と機能の使用方法、 SI1032X-T1-E3 エレクトロニクスのチュートリアル。からダウンロードできます。 Bonchip.
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